IBM 5nm晶体管攻克电池难题:手机续航3倍提升!

时间:2017-06-09

IBM20157月完成了全球首款7nm原型芯片的制作,其采用的是7nm FinFET工艺、EUV极紫外光刻技术。

今天,IBM宣布,摩尔定律并未终止,5nm芯片可以实现在指甲盖大小中集成300亿颗晶体管。

这是什么概念?

我们以目前量产10nm的骁龙835举例,后者在相似大小中集成的晶体管数量约30亿。

IBM强调,同样封装面积晶体管数量的增大有非常多的好处,比如降低成本、提高性能,而且非常重要的一点是,5nm加持下,现有设备如手机的电池寿命将提高2~3倍。

另外,此前的资料显示,5nm可能是物理极限,为此,IBM将开发使用终极绝缘体──气隙(air gap)

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